Un nouveau dispositif de mémoire révolutionnaire combinant les fonctionnalités de la mémoire flash DRAM et NAND est en cours de développement par un groupe de chercheurs de l'Institut avancé des sciences et technologies de Corée (KAIST).
Dirigée par le professeur Shinhyun Choi de l'École de génie électrique, la percée de l'équipe promet des solutions moins chères et plus économes en énergie qui peuvent remplacer les solutions de mémoire actuelles ou peuvent être utilisées pour mettre en œuvre l'informatique neuronale pour les appareils d'IA de nouvelle génération.
Selon KAIST, le nouvel appareil utilise une mémoire à changement de phase de nouvelle génération avec une consommation d'énergie ultra faible, capable de remplacer à la fois la mémoire flash DRAM et NAND.
Adoptez une nouvelle approche
La mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) offre généralement des performances à haute vitesse, mais elle est volatile, ce qui entraîne une perte de données lorsque l'alimentation est coupée. La mémoire flash NAND offre une solution en préservant les données même lorsque l'alimentation est coupée, mais elle ne correspond pas à la vitesse de la DRAM. Cette nouvelle mémoire à changement de phase offre une solution non volatile et rapide qui combine le meilleur des deux mondes.
Les versions précédentes de la mémoire à changement de phase présentaient un problème : une consommation d'énergie élevée. Malgré les tentatives visant à réduire la consommation en réduisant la taille physique de ces appareils grâce aux dernières techniques de lithographie, les réductions ont été minimes, tandis que les coûts ont grimpé en flèche.
Pour surmonter ce problème, l'équipe du professeur Choi a créé une méthode permettant de façonner électriquement des matériaux à changement de phase dans une très petite zone et a développé avec succès un dispositif de mémoire à changement de phase à très faible consommation. Notamment, cela consomme 15 fois moins d’énergie que les modèles précédents de mémoire à changement de phase utilisant des outils de lithographie coûteux, ce qui constitue une réussite majeure dans la quête du développement d’une mémoire économe en termes de coût et d’énergie.
« Le dispositif de mémoire à changement de phase que nous avons développé est important car il offre une nouvelle approche pour résoudre les problèmes en suspens dans la production d'un dispositif de mémoire avec un coût de fabrication et une efficacité énergétique considérablement améliorés », a déclaré le professeur Choi. Il a ajouté qu'il espérait que ces nouvelles recherches deviendraient la base de la future architecture électronique, ouvrant la voie à une mémoire verticale 3D haute densité et à des systèmes informatiques neuronaux.
Ce n’est pas la seule solution neuroinformatique sur laquelle travaille le KAIST. Le mois dernier, des scientifiques ont dévoilé une puce d'IA qui, selon eux, pourrait égaler la vitesse du GPU A100 de Nvidia, mais avec une taille plus petite et une consommation d'énergie nettement inférieure.
